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Si5943DU
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
10
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.25
0.20
0.15
0.10
T A = 125 °C
I D = 3.6 A
1
0.05
T A = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
0. 8
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
40
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.7
I D = 250 μ A
30
0.6
20
0.5
10
0.4
0.3
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
6 0 0
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
10
Limited by R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
1 ms
1
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
BVDSS limited
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 73669
S-81449-Rev. B, 23-Jun-08
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